UNIST, 저전력·저발열 'M램' 메모리 반도체 기술 개발

· 저전력으로 M램에 데이터 저장하는 메모리 소자 개발
· 높은 문턱전류 대신 전압 펄스로 데이터 저장

 

신개념 비휘발성 스핀 메모리 소자의 작동 원리 개념도 (이미지=UNIST)

울산과학기술원(UNIST) 신소재공학과 유정우 교수팀이 저전력으로 메모리에 데이터를 저장할 수 있는 M램(자성메모리) 소자 구조를 실험적으로 입증해냈다.

연구팀이 개발한 메모리 소자는 전압 펄스만으로 메모리에 정보를 쓸 수 있다. 이 소자는 그래핀이 자성절연체인 이트륨 철 가넷(YIG)와 강유전체인 플루오라이드(PVDF)-에틸렌(TrFE) 사이에 끼어 있는 구조인데, 전압 펄스를 가하면 그래핀에 흐르는 전류 방향이 바뀐다. 이 방향에 따라 0과 1을 저장한다.

개발된 메모리 소자에는 역에델스타인 효과, 강자성공명 현상 등과 같은 물리 이론이 적용됐다. 자성절연체의 강자성공명으로 그래핀에 주입된 스핀전류가 역에델스타인 효과에 의해 전하전류로 변환되는 원리다.

IT타임스: https://www.ittimes.com/news/articleView.html?idxno=52391

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